Мемристор (англ. memristor, от memory — «память», и resistor — «электрическое сопротивление») — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление. Может быть описан как двухполюсник с нелинейной вольт-амперной колляцией, владеющий гистерезисом.

Математическая модель

Теория мемристора была сделана в 1971 году профессором Леоном Чуа.

Устанавливает отношения между интегралами по времени силы тока, происходящего через элемент, и напряжения на нем. Длинное время мемристор считался теоретическим объектом, тот, что невозможно возвести.

Впрочем, лабораторный пример мемристора был создан в 2008 году коллективом ученых во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы Hewlett-Packard. В различие от теоретической модели, устройство не накапливает заряд, аналогично конденсатору, и не поддерживает магнитный поток, как катушка индуктивности. Работа устройства обеспечивается за счет химических метаморфоз в тонкой (5 нм) двухслойной пленке двуокиси титана. Один из слоев пленки слегка обеднен кислородом, и кислородные вакансии мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу наноионных устройств.

Читать дальше