Flash-память остается доминирующим видом энергонезависимой (то есть сохраняющей информацию в отсутствии электрического тока) памяти благодаря широкому использованию в твердотельных накопителях (SSD) и привычных каждому USB флеш-накопителях. Но, несмотря на ее популярность и повсеместное использование, технология все еще остается проблемной, особенно если норма производства опускается ниже 30нм-процесса — скорость работы флеш-памяти снижается. Вдобавок к этому — ограниченное количество циклов записи-стирания и относительно низкая скорость самой записи (в миллисекундах). Из-за всех этих ограничений, исследователи уже давно ищут эффективную замену флеш-памяти для производства вышеупомянутых продуктов.

В настоящий момент существует несколько альтернативных разработок, которые вполне могли бы заменить кремниевую флеш-память, такие как PRAM (phase-change RAM), FeRAM (ferroelectric RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) и RRAM (resistance-change RAM). Однако до сегодняшнего дня ученым различных университетов и компаний так и не удалось успешно применить текущую технологическую норму в производстве памяти по любой из этих технологий — либо механизм переключения режимов, либо сама платформа теряет эффективность и скорость на уровне «нано». Плюс к этому, ни одной из этих разработок не хватает таких важных в коммерческом производстве характеристик, как увеличение циклов записи-стирания (по-сравнению с флеш-памятью), долгосрочности хранения данных в отсутствии тока и высокой скорости переключения между режимами чтения/записи. Именно качественный и количественный рост этих показателей считается основным требованием в разработке энергонезависимой памяти следующего поколения.

А еще, не развлечения ради, исследователи планируют заменить эту технологию целиком. Совместная группа ученых из Samsung и корейского Sejong University недавно опубликовали занятную публикацию в журнале Nature Materials, описывающую новую технологию производства RRAM (resistance-change RAM это технология, позволяющая менять напряжение ячеек так, что ее состояние меняется с низкого сопротивления (высокая проводимость) на высокое сопротивление (низкая проводимость)) из оксида тантала (TaO_x), который в тестах показал огромное преимущество над существующими технологиями, побив результаты почти по всем пунктам.

Проглядывая community.netapp.com обнаружил дискуссию о autotiering-е , откуда выдернул интересное мнение уже известного вам Dimitris K. (recoverymonkey). Хотя в оригинале это были три реплики-ответа в дискуссии в форуме, я слил их оформил их как отдельную “статью”. Дискуссия идет о реализации autotiering в EMC FAST, а также о системах хранения Compellent, которые, до недавнего времени, были главным Read More......(read more)

Компания Mach Xtreme Technology, инноватор на рынке оперативной памяти и твердотельных накопителей, представила SSD диск второго поколения с интерфейсом SATA 6 Гбит/с, получивший название MX-DS Turbo. Диск MX-DS Turbo выполнен в 2,5 дюймовом форм-факторе, построен на основе 25 нанометровых NAND флеш чипов архитектуры MLC (multi level cell). Время наработки на отказ (MTBF), по заявлению производителя, [...]

Компания Mach Xtreme Technology, инноватор на рынке оперативной памяти и твердотельных накопителей, представила SSD диск второго поколения с интерфейсом SATA 6 Гбит/с, получивший название MX-DS Turbo. Диск MX-DS Turbo выполнен в 2,5 дюймовом форм-факторе, построен на основе 25 нанометровых NAND флеш чипов архитектуры MLC (multi level cell). Время наработки на отказ (MTBF), по заявлению производителя, [...]

OCZ Technology была одной из компаний, которые заработали для себя  отличную репутацию в бизнесе SSD. Их последний накопитель OCZ Agility 3 основан на новом контроллере SandForce SF-2281, который поставляется с полной поддержкой интерфейса SATA 6 Гбит. Как и все последние твердотельные накопители Agility 3 также поддерживает TRIM и NCQ. Потребительская линейка SSD от OCZ состоит [...]