Samsung начала массовое производство микросхем памяти емкостью 3 Гбайт для смартфонов
2013-07-26 07:50:07
Компания Samsung Electronics Co. объявила о запуске в массовое производство микросхем памяти ...
+ развернуть текст сохранённая копия
Компания Samsung Electronics Co. объявила о запуске в массовое производство микросхем памяти DRAM для мобильных устройств емкостью 3 Гбайт. Это - самая последняя разработка компании, которая отличается наиболее плотным размещением ячеек памяти на кристалле. Конструкционно решение представляет собой два сэндвич-пакета по три блока гигабитных микросхем, изготовленных по техпроцессу 20 нм.
samsung-3gb-phone-ram.jpg
читать дальше
Тэги:
dram,
lpddr3,
samsung,
микросхема,
память
Samsung первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ
2013-07-24 20:30:54
... оперативной памяти типа
LPDDR3 объемом 3 Гбайта ...
+ развернуть текст сохранённая копия
Южнокорейская компания Samsung официально сообщила о начале массового производства первых в мире модулей оперативной памяти типа LPDDR3 объемом 3 Гбайта, исполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новые чипы нацелены на использование в мобильных устройствах следующего поколения. Читать далее... Hi-News.ru - Новости высоких технологий. | Комментарии: 16 Посмотреть все записи в категории Железо.
Тэги:
lpddr3,
samsung,
железо,
оперативный,
память
Samsung первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ
2013-07-24 20:30:54
... оперативной памяти типа
LPDDR3 объемом 3 Гбайта ...
+ развернуть текст сохранённая копия
Южнокорейская компания Samsung официально сообщила о начале массового производства первых в мире модулей оперативной памяти типа LPDDR3 объемом 3 Гбайта, исполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новые чипы нацелены на использование в мобильных устройствах следующего поколения. Читать далее... Hi-News.ru - Новости высоких технологий. | Комментарии: 21 Посмотреть все записи в категории Железо.
Тэги:
lpddr3,
samsung,
железо,
оперативный,
память
Смартфоны с 4 Гбайтами оперативной памяти появятся уже в конце года
2013-06-12 21:11:40
... микросхем памяти типа
LPDDR3 плотностью 4 Гбита ...
+ развернуть текст сохранённая копия
Еще в начале мая компания Samsung официально объявила о начале массового производства микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбита по нормам 20-нм технологического процесса. Новые чипы намного быстрее и потребляют меньше энергии по сравнению со старыми микросхемами типа LPDDR2, но объем памяти на одном чипе остался прежним – 0,5 Гбайта. Читать далее... Hi-News.ru - Новости [...]
Тэги:
hynix,
lpddr3,
оперативный,
память,
технология
Смартфоны с 4 Гбайтами оперативной памяти появятся уже в конце года
2013-06-12 21:11:40
... микросхем памяти типа
LPDDR3 плотностью 4 Гбита ...
+ развернуть текст сохранённая копия
Еще в начале мая компания Samsung официально объявила о начале массового производства микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбита по нормам 20-нм технологического процесса. Новые чипы намного быстрее и потребляют меньше энергии по сравнению со старыми микросхемами типа LPDDR2, но объем памяти на одном чипе остался прежним – 0,5 Гбайта. Читать далее... Hi-News.ru - Новости [...]
Тэги:
hynix,
lpddr3,
оперативный,
память,
технология
